لیتوگرافی 3 نانومتری GAA سامسونگ نرخ بازدهی کمتری از لیتوگرافی 4 نانومتری آن دارد

سود خالص سالانه‌ی سامسونگ از تکنولوژی 3 نانومتری GAA حاکی از افزایش نرخ بازدهی به 10 تا 20 درصد می‌باشد. فرایند 4 نانومتری این شرکت که در تکمیل سفارش‌های اسنپدراگون 8 نسل یک کوالکام به کار رفت، با نرخ بازدهی حدود 35 درصد، نتایج بهتری برای سامسونگ به همراه داشت.

البته باید دقت کرد که 35 درصد هم در مقایسه با پیشرفت 70 درصدی TSMC، درصدی بسیار ناامیدکننده است و همین امر مهاجرت کوالکام به شرکت تایوانی را برای سفارش‌های اسنپدراگون 8 نسل یک و اسنپدراگون 8 نسل یک پلاس را توجیه می‌کند.

نسل دوم فرایند 3 نانومتری سامسونگ مقرر شده سال آینده راه‌اندازی شود و در صورتی که نرخ بازده این فرایند از نرخ فعلی بیشتر نشود، کوالکام چاره‌ای نخواهد داشت جز این‌که سفارش‌های نسل بعدی اسنپدراگون 8 نسل 2 خود را با پرداخت مبلغی اضافه به TSMC بسپارد.

از قبل اعلام شده بود که سامسونگ قصد دارد خانواده‌ی کاملاً جدیدی از پردازنده‌ی اگزینوس را برای گوشی‌های سری گلکسی آینده خود تولید کند؛ اما به فرایند تولید این پردازنده اشاره‌ای نشده بود. اکنون برخی منابع بر این باور هستند که هدف اولیه‌ی راه‌اندازی فرایند 3 نانومتری GAA سامسونگ تولید پردازنده‌های اگزینوس جدید بود. براساس تجربیات قبلی، TSMC تراشه‌های با کیفیت‌تری از سامسونگ تولید می‌کند و تا به الان نیز گزارشی مبنی بر مشکلاتی مشابه برای این سازنده‌ی تایوانی منتشر نشده است. دلیل سفارش‌های انبوه غول‌هایی مانند اپل به TSMC نیز همین امر می‌باشد.

اولین تراشه‌ی 4 نانومتری TSMC چیپست دایمنسیتی 9000 مدیاتک و سریع‌ترین تراشه‌ی گوشی‌های اندرویدی موجود است که نشان می‌دهد فرایند تولید برتر می‌تواند در عملکرد و بهره‌وری انرژی حرف زیادی برای گفتن داشته باشد.