سامسونگ قصد دارد تا سال 2027 تراشه‌های 1.4 نانومتری نیمه‌هادی تولید کند

Samsung Foundry، دومین شرکت بزرگ تولیدکننده‌ تراشه‌های نیمه‌هادی در جهان، در رویداد Samsung Foundry Forum 2022 اعلام کرد به تلاش‌های خود برای بهبود تراشه‌های نیمه‌هادی ادامه می‌دهد. سامسونگ فاندری تصمیم دارد تراشه‌هایی کوچک‌تر، سریع‌تر و کارآمدتر روانه‌ی بازار کند و در همین راستا نیز برنامه‌های خود را برای تولید تراشه‌های 2 نانومتری و 1.4 نانومتری اعلام کرد.

نسل دوم و سوم تراشه‌های 3 نانومتری GAA سامسونگ به ترانزیستورهای کوچکتری مجهز شده‌اند و با کاهش ولتاژ منبع تغذیه و افزایش قابلیت جریان درایو، بازده انرژی بالاتری دریافت می‌کنند. Samsung Foundry تولید انبوه اولین تراشه‌های 3 نانومتری (SF3E) با فناوری GAA را چند ماه پیش آغاز کرد. GAA درواقع بازسازی اساسی در طراحی پایه‌ی ترانزیستورها است که چندسال یک‌بار اتفاق می‌افتد و سامسونگ هم قصد دارد به کمک این فناوری بهبودهایی گسترده در بهره‌وری انرژی تراشه‌ها ایجاد کند و تا سال 2024 نسل دوم تراشه‌های نیمه‌هادی 3 نانومتری (SF3) را روانه‌ی بازار کند.

غول فناوری کره‌ای اعلام کرد که تراشه‌های نسل دوم 3 نانومتری حدود 20 درصد ترانزیستورهای کوچک‌تری نسبت‌به نسل اول خواهند داشت و به همین ترتیب تراشه‌های جدید نیز از تراشه‌های قبلی کوچک‌تر بوده که درنهایت مصرف انرژی بهینه‌تری را برای گوشی‌های هوشمند، کامپیوترها، سرورهای ابری و گجت‌های پوشیدنی به‌ ارمغان می‌آورند. سامسونگ قصد دارد فناوری ساخت ترانزیستورهای 3 نانومتری خود را با فرایند +SF3P ارتقا دهد و تولید انبوه تراشه‌های تولید شده با این ترانزیستورها را تا سال 2025 آغاز کند. این شرکت قبلاً هم ثابت کرده که می‌تواند تراشه‌های GAA را به تولید انبوه برساند؛ بنابراین از این جهت می‌توان روی ادعای سامسونگ حساب کرد. Samsung Foundry در چند سال گذشته بسیاری از مشتریان خود مانند کوالکام، اپل، AMD و انویدیا را به نفع TSMC از دست داده بود، اما حالا می‌توان امیدوار بود که با تولیدات جدید بتواند مشتریان قبلی خود را دوباره جذب کند.

Samsung Foundry در سال 2025 تراشه‌های 2 نانومتری و تا سال 2027 تراشه‌های 1.4 نانومتری تولید خواهد کرد. سامسونگ همچنین اعلام کرد که قصد دارد تا سال 2025 تولید تراشه‌های 2 نانومتری را آغاز کند؛ درست زمانی‌که شروع به استفاده از فناوری Backside Power Delivery می‌کند. فناوری مذکور بهترین راهکار برای حل مشکلات مربوط به جریان مقاومت است و به ترانزیستورها اجازه می‌دهد انرژی الکتریکی را از یک سمت تراشه دریافت کرده و از سمت دیگر اطلاعات را انتقال دهند. معمولاً تغذیه ترانزیستورها و برقراری ارتباط با آن‌ها، تنها از یک طرف تراشه صورت می‌گیرد، اما به کمک فناوری جدید Backside Power Delivery تحویل برق از یک سمت و ارتباطات و تحویل نیرو از سمت دیگر انجام می‌شود. این فناوری عملکرد کلی تراشه را بهبود می‌بخشد و طبق گزارش‌ها اینتل قصد دارد تا سال 2024 از قابلیتی مشابه PowerVia در تولید تراشه‌های خود بهره ببرد.

علاوه‌براین، Samsung Foundry گره جدید 1.4 نانومتری (SF1.4) را هم به برنامه‌های تولید نیمه‌هادی خود اضافه کرده است و قصد دارد تا سال 2027 تولید انبوه تراشه‌های 1.4 نانومتری را آغاز کند. این شرکت هنوز اطلاعات بیشتری از تراشه‌های 1.4 نانومتری منتشر نکرده و فقط روند آهسته‌ی قانون مور را در مورد آن‌ها تأیید کرده است. این شرکت برای انباشته‌سازی ترانزیستورها روی تراشه نیز استفاده از فناوری بهبودیافته‌ی 2.5 بعدی/سه‌بعدی را دربرنامه‌ی کاری خود دارد. بسته‌بندی سه‌بعدی X-Cube سامسونگ با اتصال‌هایی که فاصله‌ای در حدود میکرو دارند تا سال 2024 و بسته‌بندی سه‌بعدی با اتصال‌هایی بدون فاصله تا سال 2026 در دسترس خواهند بود. سامسونگ همچنین قصد دارد ظرفیت تولید تراشه را تا سال 2027 نسبت به سال 2022 تا 3 برابر افزایش دهد.

علاوه‌براین، سامسونگ بر بازارهای خودرو و ارتباطات 5G/6G تمرکز کرده است؛ شرکت کره‌ای انتظار دارد 50 درصد از تقاضای تراشه را در بازارهای خودرو، تجهیزات HPC (محاسبات با عملکرد بالا)، اینترنت اشیا و اتصالات 5G مشاهده کند. این شرکت برای تولید تراشه‌های بخش خودرو و HPC از فرایند 4 نانومتری پیشرفته استفاده خواهد کرد و اکنون درحال ساخت تراشه‌های 28 نانومتری eNVM برای مشتریان خودروساز خود است، بااین‌حال قصد دارد این تراشه را با لیتوگرافی 14 نانومتری eNVM در سال 2024 و 8 نانومتری eNVM در آینده‌ای دورتر بهبود بخشد. شرکت کره‌ای در بخش مخابرات از تراشه‌های 8 نانومتری RF (فرکانس رادیویی) بهره‌مند می‌شود و تصمیم دارد تراشه‌های 5 نانومتری RF را به‌ زوی برای این بخش راه‌اندازی کند.